Samsung производит модули памяти DDR4 класса 20 нм для центров обработки данных

На прошлой неделе компания Samsung заявила, что в настоящее время массовое производство памяти DDR4 основана с соблюдением норм 20 нм , то есть узел процесса технологий находится где-то между 20 и 30 нм. Эти высокой плотности модули ориентированы на корпоративные сервера в следующем поколении, крупномасштабные центры обработки данных и другие приложения, которые опираются на более высокую производительность и снижение затрат, вытекающих из более низкого энергопотребления.

DDR 4

«Внедрение в этом году сверхбыстрой памяти DDR4 в серверных системах следующего поколения послужит толчком к распространению современной высокотехнологичной премиальной памяти во всём сегменте корпоративных систем, – заявил Ян Хун Юн (Young-Hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж продуктов памяти компании Samsung Electronics

Samsung заявил, что доступность на рынке созданных ранее 4 Гб ( 512 Мб ) чипов DDR4, использующих 20-нанометровые проектные нормы, позволят создать спрос на модули памяти ёмкостью 16 и 32 гигабайта (Гб) – в противоположность широко используемым в настоящее время планками памяти на 8 Гб, производимых с применением 30-нм техпроцесса.

Компания утверждает, что модули памяти DDR4 на базе 4-гигабитных чипов демонстрируют самую высокую скорость передачи данных, равную 2667 Мбит/с, что в 1,25 раза превышает аналогичный показатель для 20-нм планок DDR3, обладая на 30% меньшим энергопотреблением. Создание 20-нм памяти DRAM на базе самых компактных и быстрых в мире 4-гигабитных микросхем памяти позволило компании Samsung разработать самое обширное в отрасли семейство продуктов, ориентированных на целый спектр применений, от серверных компьютеров до мобильных устройств. Благодаря этому потребители во всём мире получат доступ к широчайшему спектру высокотехнологичных, энергоэффективных, высокопроизводительных решений в области памяти с использованием зелёных технологий.

DDR4 стандарт, опубликованный в 2012 году, отличается от DDR3 тем, что вместо использования многоточечной автобус, который позволяет использовать несколько карт памяти , чтобы сидеть в том же канале памяти, использует новые технологии точка- точка автобуса к контроллеру, предельным придерживаться одного канала памяти. Тем не менее, двухканальная установка должна только физически позволит в течение двух модулей DDR4, по одной в каждом канале.

«После своевременного предоставления передовых модулей памяти 16 Гб DDR3 в начале этого года, мы продолжаем расширять премиальный сегмент рынка серверов в 2013 году и теперь внимание будет сосредоточено на производстве более производительных планок памяти DDR4 объёмом 32 Гб с более плотным размещением данных. Мы также продолжаем вносить свою лепту в усиление роли IT-рынка на базе зелёных технологий в 2014 году».



Посмотреть Комментарии
  • Комментариев пока нет. Будь первым.
Оставить комментарий